SPD09P06PL G 全国供应商、价格、PDF资料
SPD09P06PL G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫欧 @ 6.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：450pF @ 25V
- 功率_最大：42W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：PG-TO252-3
- 包装：带卷 (TR)
- 钽 Kemet CAP TANT 10UF 6V 20% SMD
- 钽 Kemet CAP TANT 150UF 20V 20% SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 100PF 200V 1% AXIAL
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 150UF 450V 20% SNAP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
- FET - 单 Infineon Technologies TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
- 钽 Kemet 1206（3216 公制） CAP TANT 15UF 6.3V 10% 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 680PF 100V 2% AXIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 100PF 200V 10% AXIAL
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 180V 20% SNAP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
- 钽 Kemet 1206（3216 公制） CAP TANT 15UF 6.3V 10% 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 680PF 100V 5% AXIAL
- 铆钉 Richco Plastic Co 径向，Can - 卡入式 SNAP LATCH WHITE 0.142" - 0.228"
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
0755-88291559 
0755-83798683 
0755-84507209 
0755-82542579 
0512-67241533 
18913062888 
0755-83242658 
15112667855 
0755-82578309 
0755-82563615 
0755-83777708 
13711580601 
0755-83015506 
0755-82522939 
19166203057 
